【IT168 资讯】2008年8月27日，微星发布了世界上第一款具有8根内存槽的P45主板，并且为这个看上去颇为恐怖的主板起了一个相当浪漫的名字，叫做“P45-8D Memory Lover”。

　　一、怪物的起源

　　微星为何会打造8内存槽的主板呢？其实这和这款主板的芯片组有关，微星的这款主板采用的是Intel的P45芯片组，改芯片组支持DDR3和DDR2两种内存。由于两种内存的规格不一样，此前的P45主板内存槽一般是DDR2和DDR3分开设计的，价格便宜的DDR2是主流的设计。

世界上第一款设计8条内存槽的台式机主板

　　然而随着DDR3内存价位的降低，这个目前规格不凡的内存开始慢慢被一些普通用户所接受。于是，许多主板厂商开始考虑在DDR2和DDR3交替时期推出板载DDR2和DDR3插槽的主板，这样以便用户不必更换主板就可以升级到DDR3内存，华硕的P5QC、技嘉的EP45C-DS3R就属于这类主板，主板上设计了4DDR2+2DDR3，一共6条内存槽。然而，微星并不满足于此，希望能够给DDR3用户更高的性能，所以便有了文章开头的一幕，发布了板载4条DDR2和4条DDR3，一共8条内存槽的主板—DP45-8D。
 
　　微星DP45-8D是世界上第一款设计8条内存槽的台式机主板，体现了主板一些大厂微星的研发实力。8条内存槽密密排列在主板上，几乎占了主板面积的四分之一。这么多的内存槽排在一起，如何控制内存的稳定和发挥最大性能？这款主板微星又投入了哪些独家技术？这些内存将如何工作？这些问题可能是很多网友关注的，下面我们将逐步为大家分析和探索这片主板的奥秘。

　　二、如何布局8条内存槽

　　我们首先从主板最基本的构造开始，由外到内开始分析和探索这款主板。微星的这款DP45-8D版型采用标准的ATX，尺寸是30.5cm×24.4cm，在标准的ATX主板上如何布局8条内存槽？

　　

主板的全貌

 
　　安排8条内存槽，就要把775针CPU插座和北桥上移，CPU插座北西两侧是供电模块。从上图我们可以看见这款主板上，CPU、北桥和内存槽之间的距离非常的近，这就必须要考虑到散热防干扰的需要，给供电模块保留足够的空间也就显得尤为重要了。这方面微星是如何处理的？

　　

主板供电的局部

 
　　微星DP45-8D的供电设计采用了2项革新措施。第一项是采用高效低温和体积小的集成化的DrMOS（8×8毫米）取代分离式MOSEFT。第二项是上部的电容用高效低温且体积小的Hi-C电容取代固体电容。这2项措施缩小了供电模块的面积，为8条内存槽留出合理的位置。

　　三、关键技术：DrMOS

　　提到供电就不能不提MOS，在这方面，微星采用了独家的DrMOS技术，通过该技术微星打造不少经典的主板，特别是P45系列，深受玩家爱喜爱。然而，对于8内存槽的主板微星DP45-8D用DrMOS取代分离MOSEFT后，供电效能会有什么改变么？

　　对于这个问题要用事实说话，所以下面我们为大家揭密这款主板所采用的DrMOS技术。DrMOS是新世纪高效节能型供电元件，Intel与2004年发布PC平台的DrMOS规范，2005年就有DrMOS问世，目前已经有十几家Power芯片厂商研发生产。

Intel DrMOS规范规定的DrMOS信号和芯片引脚

 
　　微星采用瑞萨科技(Renesas Technology)研发的第二代DrMOS芯片R2J20602。

　　

R2J20602原理图

 
　　

R2J20602外形图

 
　　DrMOS除了体积小安装小（分离式MOSFET的四分之一）以外，在转换效率、热功耗、工作频率以及寄生电感等方面都优于分立式供电设计。

　　首先DrMOS由于把驱动IC和MOSEFT集成在一个芯片内，一体化设计，使驱动IC和MOSEFT更协调，经过设计优化，DrMOS可以工作在更高的频率。电流转换效率有很大提高。第2代DrMOS是目前市场上转换效率最高的MOSEFT。

 
　　第二、DrMOS的热功耗很小，发热量很低。在同等条件下，温度要比分立式低40多度。

 
　　第三、DrMOS比普通MOSFET的尖峰噪声低，输出电压更稳定。
 
　　第四、DrMOS比普通MOSFET的瞬态响应时间短，响应CPU动态负载快，电流变化速度快。
 
　　从上面的性能对比可以看出，微星采用DrMOS代替分立式MOSEFT，即可以节省空间，便于布局8条内存槽，同时为CPU提供高稳定、品质的电流，还降低损耗节约电能。可谓一举三得。

　　四、为何采用Hi-C电容？

　　电容是CPU供电电路的重要部件之一，目前普遍采用低ESR的固态电容，而微星在DP45-8D上却采用了4颗Hi-C电容。

 
　　Hi-C电容与固态电容相比，哪一种更适合这款主板？这要先说一说供电电容的一个重要参数—等效串联电阻（ESR）。等效串联电阻的英文全称是Equivalent Series Resistance，缩写为ESR。理想的电容自身不会有电阻，但实际上制造电容的材料有电阻。从外部看，这个电阻跟电容串联在一起，所以就称为“等效串联电阻”。

　　ESR的损耗与通过的电流成正比，电流越大，损耗就越大。比如两颗功率都是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。那么前者的电流是I=P/U=70W/3.3V=21.2A，后者的电流是I=P/U=70W/1.8V=38.9A。后者将近是前者的两倍。在ESR相同的情况下，后者的损耗就是前者的两倍。所以降低损耗就必须用ESR更低的电容。

　　ESR的危害不仅仅是损耗，更重要的是“纹波电压”。没有任何波动的直流电压应该是一条水平直线，当有电压波动时，电压就变成波浪形，电压水平线上的波峰和波谷就是波纹电压。ESR值与纹波电压的关系可以用公式V=R（ESR）×I表示。公式中的V是纹波电压，R是电容的ESR，I是电流。从公式可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，纹波电压也会成倍提高，因此降低波纹电压就必须采用ESR值更低的电容。

　　纹波电压的危害是导致CPU工作不稳定，容易出现判断“0”和“1”失误而死机。波纹电压对CPU的影响与CPU的工作电压相关。比如0.2V的纹波电压对于3.3V的CPU而言，0.2V纹波电压所占比例较小，不足以形成很大的影响，但是对于1.8V的CPU来说，所占的比例就足以造成CPU运算失误。所以，现在的CPU供电电路都采用低ESR的电容。

　　普通液态电解电容的ESR在20毫欧以上，固态电容的ESR是5毫欧。Hi-C电容的ESR小于5毫欧。所以Hi-C电容优于固态电容。

 
　　Hi-C 电容的英文全称是Highly-conductive polymerized Capacitor，中文叫做高导电聚合物电容。从上图看到是塑封帖片式的，有点像钽电解电容，其实不是。这种电容的阳极是烧结钽（或铝箔），阳极介质是氧化钽（或氧化铝），而阴极（电解质）是固态的、高导电聚合物。正由于电解质是高导电聚合物，使得它尺寸小而电容量大、ESR极低的特点。

　　从上面的ESR值列表可以看出现在用于CPU供电电路最好的电容是Hi-c CAP电容。Hi-C CAP电容的第二个优点是在有浪涌电流通过时，具有自恢复的功能，因此功率损耗非常低。

　　所以，DP45-8D采用Hi-C电容对于这款主板来说可谓一举两得。至此，关于此主板的构造我们已经分析完了，后面我们将发布《探秘微星8内存槽怪物主板（二）内存篇》、《探秘微星8内存槽怪物主板（三）超频篇》为大家深度揭密这款怪物主板，敬请关注！