【IT168 资讯】Intel的P45芯片组支持DDR3和DDR2两种内存。开始的P45主板一般是DDR2和DDR3分开设计的，随着DDR3内存价位的降低，开始走入普通用户行列。主板厂商在DDR2和DDR3交替时期纷纷推出板载DDR2和DDR3插槽的主板，以便用户不必更换主板就可以升级到DDR3内存。华硕的P5QC、技嘉的EP45C-DS3R就属于这类主板，主板上设计了4DDR2+2DDR3，一共6条内存槽。微星于近日发布了板载4条DDR2和4条DDR3，一共8条内存槽的主板—DP45-8D。
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这是世界上第一款设计8条内存槽的台式机主板，足以显露出微星的研发实力。8条内存槽密密排列在主板上，几乎占了主板面积的四分之一。这么多的内存槽排在一起，会不会影响内存的稳定和性能？我们一一分析和探索这片主板的奥秘。
一、如何在标准规格的ATX主板上布局8条内存槽
微星的这款DP45-8D版型采用标准的ATX，尺寸是30.5cm×24.4cm，在标准的ATX主板上如何布局8条内存槽？我们先看看主板的全貌：
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安排8条内存槽，就要把775针CPU插座和北桥上移，CPU插座北西两侧是供电模块，由于散热防干扰的需要，必须给供电模块保留足够的空间。微星是如何处理的？我们看看主板供电的局部：
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微星DP45-8D的供电设计采用了2项革新措施。第一项是采用高效低温和体积小的集成化的DrMOS（8X8毫米）取代分离式MOSEFT。第二项是上部的电容用高效低温且体积小的Hi-C电容取代固体电容。这2项措施缩小了供电模块的面积，为8条内存槽留出合理的位置。
二、DrMOS的效能如何
用DrMOS取代分离MOSEFT后，供电效能是否会降低供电效能？答案是供电效能会有明显提高。DrMOS是新世纪高效节能型供电元件。Intel与2004年发布PC平台的DrMOS规范，2005年就有DrMOS问世，目前已经有十几家Power芯片厂商研发生产。下图是Intel DrMOS规范规定的DrMOS信号和芯片引脚：
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微星采用瑞萨科技(Renesas Technology)研发的第二代DrMOS芯片R2J20602。下图是R2J20602原理图：
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RJ20602的外形图：
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DrMOS除了体积小安装小（分离式MOSFET的四分之一）以外，在转换效率、热功耗、工作频率以及寄生电感等方面都优于分立式供电设计。
首先DrMOS由于把驱动IC和MOSEFT集成在一个芯片内，一体化设计，使驱动IC和MOSEFT更协调，经过设计优化，DrMOS可以工作在更高的频率。电流转换效率有很大提高。第2代DrMOS是目前市场上转换效率最高的MOSEFT。
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第二DrMOS的热功耗很小，发热量很低。在同等条件下，温度要比分立式低40多度。
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第三DrMOS比普通MOSFET的尖峰噪声低，输出电压更稳定。
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第四DrMOS比普通MOSFET的瞬态响应时间短，响应CPU动态负载快，电流变化速度快。
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从上面的性能对比可以看出，微星采用DrMOS代替分立式MOSEFT，即可以节省空间，便于布局8条内存槽，同时为CPU提供高稳定、品质的电流，还降低损耗节约电能。可谓一举三得。
